这让(ràng )研究人员得以利用二维材料的独特特性(xìng ),打(dǎ )破了闪存设备长期存(cún )在的速度障碍(ài )。通过利用二维(wéi )结构原子级别的厚度,其展示了二(èr )维增(zēng )强热(rè )载流子注(zhù )入的(de )新机制,借此有效实现了(le )数百皮(pí )秒量级的编程速度,并通过精细(xì )调控沟道厚度来调整电场分布(bù ),揭示(shì )了量子限制系统如何显著(zhe )改(gǎi )变载流子行为。
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