它是以隧(suì )道效应(yīng )电(diàn )流为主要电流(liú )分量的晶体二极管。其基底材料是(shì )砷化(huà )镓(jiā )和(hé )锗。其P型区的N型(xíng )区是(shì )高掺杂的(即高(gāo )浓度杂质的)。隧(suì )道电流由这(zhè )些简并态半导体(tǐ )的量子(zǐ )力学效应(yīng )所产生。发生(shēng )隧道效应具备(bèi )如下三个条件:①费米能级位于导带和满带(dài )内;②空(kōng )间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下(xià ));简并半导体P型区和N型区(qū )中(zhōng )的空(kōng )穴和电子(zǐ )在同一能级上(shàng )有交叠(dié )的(de )可能性。江崎二极管为双(shuāng )端子有源器件。其主要参(cān )数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标“P”代表“峰”;而下标“V”代(dài )表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器(qì )及(jí )高(gāo )频振荡(dàng )器中(其工作(zuò )频率可达毫米波段),也(yě )可以被应用于高速(sù )开关电路中。
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