晶(jīng )体二极管为一个由p型半导体(tǐ )和n型半导(dǎo )体形成(chéng )的p-n结,在其(qí )界面处两侧形成空间电荷层,并建有自(zì )建电场。当不存在(zài )外加电(diàn )压时,由于p-n 结两边载流(liú )子浓度差引起的(de )扩(kuò )散电流和自建电场引(yǐn )起的漂移电(diàn )流相等而处于电平衡(héng )状态。当外界(jiè )有正向电压偏置时,外界电场和(hé )自(zì )建(jiàn )电场的互相抑消(xiāo )作用使载(zǎi )流子(zǐ )的扩散电流增加引起了正向电流。当外界(jiè )有反向电(diàn )压偏(piān )置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定(dìng )反(fǎn )向电压范围内与(yǔ )反向偏置(zhì )电(diàn )压值无(wú )关的反向饱和电(diàn )流I0。当外加的反向电压(yā )高到一定程度时(shí ),p-n结空间电荷层中的电(diàn )场强度达到临界值产生(shēng )载流子的倍增过程,产生大量电子(zǐ )空穴对(duì ),产生了数值很大的反向击穿(chuān )电流(liú ),称(chēng )为二极(jí )管的击(jī )穿现象。
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