报告(gào )期内(nèi )公司(sī )研发进展顺利(lì ),取得了显(xiǎn )著的(de )成果,如55nm 中(zhōng )高阶BSI 及堆栈式CIS 芯片工艺平台实现大批(pī )量(liàng )生产、40nm 高(gāo )压OLED 显示驱动芯片实(shí )现小批(pī )量生(shēng )产、28nm 逻辑芯片通过功(gōng )能性(xìng )验证、110nm Micro OLED 芯片已成功(gōng )点亮面板、55nm 车载显示驱动芯片量产、新一代110nm 加强型微控制(zhì )器(110nm 嵌入式flash)等工艺平(píng )台完成开发。
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