报告期内公(gōng )司研发进展(zhǎn )顺利,取得了显著的(de )成果,如(rú )55nm 中高阶BSI 及堆栈式CIS 芯片(piàn )工(gōng )艺平台(tái )实现大批量生(shēng )产、40nm 高压(yā )OLED 显示驱动芯片实现小批量生产、28nm 逻辑芯片通过(guò )功能性(xìng )验证、110nm Micro OLED 芯片已成功点亮(liàng )面板、55nm 车载显示(shì )驱(qū )动芯片(piàn )量产、新一(yī )代110nm 加强型微控制器(110nm 嵌入式flash)等(děng )工艺平台完成开发。
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