除了封装技(jì )术之(zhī )外,在电路设计上(shàng )也(yě )可(kě )以通过动态调整开关(guān )速度,使得谐振发生时,上(shàng )管处于刚刚导通的状态,此时,RFET,HS较大,从(cóng )而可(kě )以有效抑制振(zhèn )荡强度。这一设计可通过设计多级驱动(dòng ),并在合(hé )适的时间开通不(bú )同驱动来实现。
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