研究(jiū )中,课题组所使用的薄体沟道能够优(yōu )化水平电场(Ey,Electric Field)分(fèn )布(bù )。其还发现,作为(wéi )一种(zhǒng )二维半导体(tǐ )二硒化钨具有二维增强(qiáng )的(de )热空穴注入特(tè )性,但注入行为(wéi )有所不(bú )同。
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